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                推荐系列

                650V/700V Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                "基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应更高的开关频率;DFN超薄外形封装,可应用于小体积PD快速充电器。 "


                系统概述

                反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,mos导通时,输出变压器充当电感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流,相反,当mos关断时,输出变压器释放能量,磁能转化为︾电能,输出回路有电流。反激电路元器件少,电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。

                系统原理图
                产品列表
                推荐系列

                DT MOS/Trench MOS

                产品优势

                DT MOSFET是采用了具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理∴的屏蔽栅(或称为分立栅)MOSFET技术(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,从而降低器件的比导通电卐阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。

                Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局,可以提高器件各个方向的电流均匀性,有效防止在极限工作下部分区域的提前失效,增强了产品功率密度和可靠性

                系统概述

                同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于提高电源的效率,它替代输出整流二极管,利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。

                系统原理图