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                推荐系列

                650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用■先进的◣多次外延(Multi-EPI)工艺技术制ω造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应☉更高的开关频率↘;DFN超薄外形封装,可应用于小体积PD快速充电器。

                系统概述

                反激是指反↑激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源,mos导通时,输出变压器充当电〖感,电能转化为磁能,此时输出回路无电流,相反,当mos关断时,输出变压器释放能量,磁能转化为∑ 电能,输出回路有电流。反激电路元器件少,电路简单成本低体☆积小可同时输出多路互相隔离▼的电路

                系统原∮理图
                推荐系列

                DT MOS/Trench MOS

                产品优势

                DT MOSFET是采用了〖具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理的屏蔽栅(或称为分立栅)MOSFET技术(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。                

                Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局,可以提高器件各个方向的电流均匀性,有效防止在极限工作下部分区域的提前失效,增强了产品功率密度和可靠性

                系统概述

                同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于【提高电源的效率,它替代输出整流二极管,利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。

                系统原理图
                产品列表
                推荐系列

                600V/650V Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应更高的开关频率。

                系统概述

                PFC(功率因数校正)拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种,PFC拓扑对MOS管的要求比较高,在保证系统效率和温升的条件下,要尽可能的提升系统稳定性用来改善电子或电◥力设备装置的功率因素,用于提高配电设备及其配线的利用率,以降低设备的装置容量;

                紫光微可以提供 600V,650V ,700V 的多次外延( Multi-EPI )SJMOS,PFC可选择。

                系统原理图
                推荐系列

                600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振半桥电路应用,具有高速快恢复二极管(FRD),短的反向〓恢复时间(Trr),适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

                系统概述

                LLC拓扑常用于大功率谐振式变换器,是150W至1.6kW应用的理想选择。因采用零电压开关(ZVS)而实现了非常高的工作效率,在大幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度,可广泛应用于服务器电源、电动汽车充电桩等领域

                无锡紫光微提供的BV为650V的MutliEPISJ-MOS可用于谐波半桥电源应用,也提供具有高速★快恢复二极管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二极管具有短的反向恢复时间(Trr),适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用

                系统原理图
                推荐系列

                600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用,具有高速快恢复二极管(FRD),短的反向恢复时间(Trr),适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

                系统概述

                逆变电路工作原理开关T1、T4闭合,T2、T3断开: 开关T1、T4断开,T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 , 则 在 负载电 阻 R上 获 得交变电压波╱形(正负交替的方波),其周期 Ts=1/fS,这样,就将直流电压变成了交流电压

                系统原理图
                推荐系列

                Multi-EPI SJ MOS

                产品优势

                基于革命性超结 (SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性,更容易通过安规认证;超低导通电阻和结电容,有效降低导通损耗和开关损耗,效率高,发热小,可以适应更高的开关频率。

                系统概述

                正激式开关电源在硬开关应用中有单管∏正激和双管正激两种,对于单管正激,由于变压器需要增加额外▲的磁复位绕组,在主开关MOS管关断时,MOS管会承受两倍于输入电压的应力,因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管,以应对电压变化带来的冲击。

                双管正激,它是非常稳定的拓扑结构,工作频率不高,也不会出现々过大的冲击电流,对MOS管的要求相对宽松,每个mos理论上的电压为直流母线电压,对选取相对较低耐压mos,同时Rdson较小,可进一步提高效率通常应用于计算机主电源,中等功率通信电源,变频器等辅助电源

                系统原理图
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