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                DT MOS

                通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结卐构设计, 紫光◥微电子的MOSFET实现功率密度最大化, 从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。 同时, 电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定,其有效降低了栅极电荷 (Qg),尤且⌒ 是栅极漏极间的电荷 (Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。 通过采用这些先进的技术手段, MOSFET的FOM (Qg x Rdson)得以实现行♂行业内的领先水平。

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